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研究用高纯度硅晶圆片  
研究用高純度シリコンウェハー　1枚入

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特点


● 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

规格


● 製造方法：CZ法
● 面方位：100
● OF位置：110
● ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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